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三极管中vbe.vce是什么意思

Vbe 为基级与发射级间电压;Vce为发射级与集电极间电压.over

Vce和Vbe是两个不同的值:在说明资料中给出的数据Vce通常是指三极管的最大工作电压(C极和E极之间); 在实际电路中Vce通常是三极管的实际工作电压(C极和E极之间).而Vbe是指三极管的b极偏压.

Vcc是电路的直流供电电压,Vce是三极管的集电极与发射极之间的电压,Vces是三极管工作于饱和状态时,集-射极之间的电压.

VceC、E间电压,sat饱和(saturation),因此Vcesat指饱和时集电极-发射极之间的电压.同理Vbesat指饱和时基极-发射极之间的电压.

Vbe三极管基极和发射极之间的电压Vce三极管集电极和发射极之间的电压

准确说:三极管vbe 不是发射结,vcb也不是集电结.应该是:vbe是发射结电压,vcb是集电结电压.通常叫正向电压,而veb和vbc称反向电压.而be结才叫发射结,bc结叫集电结.这是两个pn结.与vbe ,vcb并不是一回事.

通常认为,如果三极管集电极发射极间电压(即vce)>0.7v,三极管就处于放大状态,而如果vce

三极管饱和压降Vce(sat) 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有

HFE: H指"h"参数模型,F指"f"orward current gain,E指common "e"mitter HFE是共射条件下H参数模型正向导通时的电流增益 Vce(sat): Ic的产生与CE两极之间的电场强度有关,由于电子在半导体中的运动有限,当Vce增大到一定程度以后,Ic不再增加,也就是进入了饱和区,继续增大Vce,会导致击穿. 在这里,Vce(sat)是指达到饱和区所需的CE间最小电压值.Vbe(sat): BE间的电压决定Ie的大小,就像自来水的水阀,Ie与Vbe成e指数关系,一般情况下Vbe视为常量,若强行增大,则Ie成指数增长,三极管就烧了. 在这里,Vbe是可以当作一个常量,用来求电流.

对NPN硅三极管是这样的.因为饱和时ce电压在0.3V以下,深度饱和电压更小.所以深度饱和对提高开关速度是不利的.

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